제품 상세 정보:
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모델 번호:: | AP2308GEN | 조건:: | 새로운과 본래 |
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하이 라이트: | SOT-23 Mosfet 파워 트랜지스터,3.6A Mosfet 파워 트랜지스터,0.69W MOSFET 트랜지스터 |
원종축의 전자 구성품 AP2308GEN SOT-23 장점 가격
기술
진보적 파워 모스펫은 낮게 가능한 온 저항, 극단적으로 효율적이고 비용 효율성 장치를 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용했습니다.
SOT-23S 패키지는 넓게 상업적 산업적 표면 장착 적용품에 적합하고 DC / dc 컨버터와 같은 저전압 응용에 적합합니다.
절대적인 최대 Ratings@Tj=25oC (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)
기호 | 매개 변수 | 평가 | 유닛 |
VDS | 드레인-소스 전압 | 20 | V |
VGS | 게이트-소스 전압 | +8 | V |
ID@TA=25C | 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS | 1.2 | A |
ID@TA=70C | 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS | 1 | A |
IDM | 펄스용 배수 Current1 | 3.6 | A |
PD@TA=25C | 전력 총손실 | 0.69 | W |
TSTG | 보존온도범위 | -55 내지 150 | C |
TJ | 작동 접합부 온도 범위 | -55 내지 150 | C |
온도 데이타
기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
스제이 A | 최대 열 저항, Junction-ambient3 | 180 | C/W |
AP2308GE
일렉트릭널 Characteristics@Tj=25oC (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)
기호 | 매개 변수 | 엑스페리먼트 조건 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
BVDSS | 드레인-소스 항복 전압 | VGS=0V, ID=250uA | 20 | - | - | V |
RDS (계속) | 정적 드레인-소스 On-Resistance2 | VGS=4.5V, ID=1.2A | - | - | 600 | mΩ |
VGS=2.5V, ID=0.3A | - | - | 2 | Ω | ||
VGS(th) | 게이트 문턱 전압 | VDS=VGS, ID=250uA | 0.5 | - | 1.25 | V |
그프스 | 앞으로 상호컨덕턴스 | VDS=5V, ID=1.2A | - | 1 | - | S |
IDS | 드레인-소스 누설 전류 | VDS=20V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
IGS | 게이트-소스 누출 | VGS=+8V, VDS=0V | - | - | +30 | uA |
큐그 | 전체 게이트전하 |
ID=1.2A VDS=16V VGS=4.5V |
- | 1.2 | 2 | nC |
큐그스 | 게이트-소스 요금 | - | 0.4 | - | nC | |
큐그드 | 게이트-드레인 (밀러) 요금 | - | 0.3 | - | nC | |
td (계속) | 턴 온 지연 시간 |
VDS=10V ID=1.2A RG=3.3Ω VGS=5V |
- | 17 | - | 나노 초 |
tr | 상승 시간 | - | 36 | - | 나노 초 | |
(떨어져서) td | 정지 지연 시간 | - | 76 | - | 나노 초 | |
트프 | 강하 시간 | - | 73 | - | 나노 초 | |
CIS | 입력 커패시턴스 |
VGS=0V .VDS=10V f=1.0MHz |
- | 37 | 60 | pF |
코스 | 출력 커패시턴스 | - | 17 | - | pF | |
크스 | 역 환 전기 용량 | - | 13 | - | pF |
소스-드레인 다이오드
기호 | 매개 변수 | 엑스페리먼트 조건 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
VSD | Voltage2에 앞으로 | IS=1.2A, VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
기록 :
1.펄스폭은 맥스에 의해 제한했습니다. 접합 온도.
2.펄스 시험
3.서피스는 FR4 보드, T <> 10대의 1개 in2 구리 패드에 장착했습니다 ; 400C/W 분에 설치되골 때. 구리 패드.
항목 :새로운 AP2308GEN
부품번호 : AP2308GEN
패키지 : 전자 부품
전자 부품 : AP2308GEN
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담당자: David