제품 상세 정보:
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유형: | 삼극관 트랜지스터 | 자료: | 규소 |
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힘 Mosfet 트랜지스터: | TO-126는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 | 제품 이름: | 반도체 삼극관 유형 |
티제이: | PC | ||
하이 라이트: | 끝 시리즈 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
TO-126는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 MJE13003 트랜지스터 (NPN)를
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MJE13003=Device 부호
단단한 점 = 합성 장치를, 만약에 아무도를 주조하는, 녹색 정상적인 장치
주문 정보
부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
MJE13003 | TO-126 | 부피 | 200pcs/Bag |
MJE13003-TU | TO-126 | 관 | 60pcs/Tube |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 - 기본 전압 | 600 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | 420 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | 7 | V |
IC | 지속 수집가 현재 - | 0.2 | A |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 0.75 | W |
TJ | 접합 온도 | 150 | ℃ |
Tstg | 저장 온도 | -55 ~150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC= 0.1mA, I.E =0 | 600 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC= 1mA, IB=0 | 400 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =0.1MA, IC=0 | 6 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=600V, I.E =0 | 100 | uA | ||
수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE=400V, IB=0 | 100 | uA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=7V, IC=0 | 10 | uA | ||
DC 현재 이익 | hFE (1)* | VCE=10V, IC=200mA | 20 | 30 | ||
hFE (2) | VCE=10V, IC=250μA | 5 | ||||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE 1 | IC=200mA, IB=40mA | 0.5 | V | ||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=200mA, IB=40mA | 1.1 | V | ||
전환 빈도 | fT | VCE=10V, IC=100mA, f=1MHz | 5 | MHz | ||
낙하시간 | tf | IC=100mA | 0.5 | μs | ||
저장 시간 | tS* | IC=100mA | 2 | 4 |
TO-92 포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 2.500 | 2.900 | 0.098 | 0.114 |
A1 | 1.100 | 1.500 | 0.043 | 0.059 |
b | 0.660 | 0.860 | 0.026 | 0.034 |
b1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
c | 0.450 | 0.600 | 0.018 | 0.024 |
D | 7.400 | 7.800 | 0.291 | 0.307 |
E | 10.600 | 11.000 | 0.417 | 0.433 |
e | 2.290 TYP | 0.090 TYP | ||
e1 | 4.480 | 4.680 | 0.176 | 0.184 |
h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
L | 15.300 | 15.700 | 0.602 | 0.618 |
L1 | 2.100 | 2.300 | 0.083 | 0.091 |
P | 3.900 | 4.100 | 0.154 | 0.161 |
Φ | 3.000 | 3.200 | 0.118 | 0.126 |
담당자: David