제품 상세 정보:
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유형: | 반도체 삼극관 | 힘 Mosfet 트랜지스터: | 캡슐에 넣어지는 TO-220-3L 플라스틱 - |
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제품 ID: | TIP117 | 특색: | 높은 DC 현재 이익 |
수집가 현재: | -2A | 수집가 전력 흩어지기: | 2w |
하이 라이트: | 전자 부품 삼극관,반도체 스위치 |
TO-220-3L 플라스틱 - 캡슐에 넣어진 트랜지스터 TIP117 달링턴 트랜지스터 (NPN)
최대 등급 (Ta=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | -100 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | -100 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | -5 | V |
IC | 수집가 현재 | -2 | A |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 2 | W |
RθJA | 접속점에서 주위에 내열성 | 63 | ℃/W |
Tj | 접합 온도 | 150 | ℃ |
Tstg | 저장 온도 | -55~+150 | ℃ |
전기 특성 (Ta=25℃ 특별한 다른 규정이 없으면)
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=-1mA, I.E =0 | -100 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO* | IC=-30mA, IB=0 | -100 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =-5MA, IC=0 | -5 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=-100V, I.E =0 | -1 | mA | ||
수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE=-50V, IB=0 | -2 | mA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=-5V, IC=0 | -2 | mA | ||
DC 현재 이익 |
hFE (1) | VCE=-4V, IC=-1A | 1000년 | 12000 | ||
hFE (2) | VCE=-4V, IC=-2A | 500 | ||||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=-2A, IB=-8mA | -2.5 | V | ||
기초 이미터 전압 | VBE | VCE=-4V, IC=-2A | -2.8 | V | ||
수집가 산출 용량 | 옥수수 속 | VCB=-10V, I.E =0, f=0.1MHz | 200 | pF |
TO-220-3L 포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 4.470 | 4.670 | 0.176 | 0.184 |
A1 | 2.520 | 2.820 | 0.099 | 0.111 |
b | 0.710 | 0.910 | 0.028 | 0.036 |
b1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
c | 0.310 | 0.530 | 0.012 | 0.021 |
c1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
D | 10.010 | 10.310 | 0.394 | 0.406 |
E | 8.500 | 8.900 | 0.335 | 0.350 |
E1 | 12.060 | 12.460 | 0.475 | 0.491 |
e | 2.540 TYP | 0.100 TYP | ||
e1 | 4.980 | 5.180 | 0.196 | 0.204 |
F | 2.590 | 2.890 | 0.102 | 0.114 |
h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
L | 13.400 | 13.800 | 0.528 | 0.543 |
L1 | 3.560 | 3.960 | 0.140 | 0.156 |
Φ | 3.735 | 3.935 | 0.147 | 0.155 |
담당자: David