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제품 상세 정보:
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제품 이름: | mosfet 힘 트랜지스터 | 응용 프로그램: | 힘 관리 |
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특색: | 우수한 RDS (위에) | 힘 Mosfet 트랜지스터: | 증진 형태 힘 MOSFET |
모델 번호: | 5N60 | ||
하이 라이트: | n 수로 mosfet 트랜지스터,고전압 트랜지스터 |
5N60 K-TCQ 5A 600V N 수로 힘 MOSFET
UTC 5N60K-TCQ는 고전압 힘 MOSFET이고 빠른 엇바꾸기 시간 낮은 문 책임의 낮은에 국가 저항과 같은 더 나은 특성이 있고기 위하여 그리고 높은 어려운 눈사태 특성이 있기 위하여 디자인됩니다. 이 힘 MOSFET는 DC 변환기에 보통 전력 공급, PWM 모터 통제, 높은 능률적인 DC 및 브리지 회로에 있는 사용한 고속으로 전환 신청입니다.
특징
RDS(위에)< 2=""> GS =10V, ID = 2.5A
* 빠른 엇바꾸기 기능
* 지정되는 눈사태 에너지
* 개량된 dv/dt 기능, 높은 Ruggedness
신청
짐 엇바꾸기
열심히 전환해 고주파는 무정전 전원 장치를 순회합니다
발주번호 | 포장 | 핀 지정 | 포장 | |||
무연 | 할로겐은 해방합니다 | 1 | 2 | 3 | ||
5N60KL-TA3-T | 5N60KG-TA3-T | TO-220 | G | D | S | 관 |
5N60KL-TF1-T | 5N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | 관 |
5N60KL-TN3-R | 5N60KG-TN3-R | TO-252 | G | D | S | 테이프 권선 |
주: 핀 지정: G: 문 D: 하수구 S: 근원
절대 최대 등급 (TC = 25°С, 특별한 다른 규정이 없으면)
모수 | 상징 | 등급 | 단위 | |
하수구 근원 전압 | VDSS | 600 | V | |
문 근원 전압 | VGSS | ±30 | V | |
현재를 배수하십시오 | 지속 | ID | 5.0 | A |
맥박이 뛰는 (주 2) | IDM | 20 | A | |
눈사태 현재 (주 2) | IAR | 4.0 | A | |
눈사태 에너지 | 맥박이 뛰는 골라내십시오 (주 3) | EAS | 80 | mJ |
다이오드 회복 dv/dt (주 4)를 뾰족해지십시오 | dv/dt | 3.25 | V/ns | |
전력 흩어지기 |
TO-220 |
PD |
106 | W |
TO-220F1 | 36 | W | ||
TO-252 | 50 | W | ||
접합 온도 | TJ | +150 | °C | |
저장 온도 | TSTG | -55 ~ +150 | °C |
주: 1. 절대 최대 등급은 장치가 영구히 손상을 입힐 수 있던 그 가치입니다.
절대 최대 등급은 긴장 등급만이고 기능적인 장치 가동은 함축되지 않습니다.
4. 반복적인 등급: 최대 접합 온도에 의해 제한되는 맥박 폭.
5. L = 84mH, =1.4A로 I, VDD = 50V, RG = T를 시작하는 25 ΩJ = 25°C
6. ISD ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, T를 시작하는 VDD ≤BVDSSJ = 25°C
모수 | 상징 | 평가 | 단위 | |
주위에 접속점 | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62.5 | °C/W |
TO-252 | 110 | °C/W | ||
케이스에 접속점 |
TO-220 |
θJC |
1.18 | °C/W |
TO-220F1 | 3.47 | °C/W | ||
TO-252 | 2.5 | °C/W |
전기 특성 (TJ = 25°С, 특별한 다른 규정이 없으면)
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | TYP | MAX | 단위 | |
특성 떨어져 | |||||||
하수구 근원 고장 전압 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
하수구 근원 누설 현재 | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
문 근원 누설 현재 | 앞으로 | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
반전 | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | |||||
특성에 | |||||||
문 문턱 전압 | VGS (토륨) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | ||
정체되는 하수구 근원에 국가 저항 | RDS (위에) | VGS=10V, ID=2.5A | 2.5 | Ω | |||
동 특성 | |||||||
입력 용량 | CISS |
VGS=0V, V DS=25V, f=1.0MHz |
480 | pF | |||
산출 용량 | COSS | 60 | pF | ||||
반전 이동 용량 | CRSS | 6.5 | pF | ||||
엇바꾸기 특성 | |||||||
총 문 책임 (주 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, VGS=10V IG=100μA (주 1, 2) | 46 | NC | |||
근원 책임에 문 | QGS | 4.6 | NC | ||||
책임을 배수하는 문 | QGD | 6.0 | NC | ||||
지연 시간 (주 1)회전 에 | tD (위에) |
VDD=30V, VGS=10V, ID=0.5A, RG=25Ω (주 1, 2) |
42 | ns | |||
오름 시간 | tR | 44 | ns | ||||
회전 떨어져 지연 시간 | tD (떨어져) | 120 | ns | ||||
가을 시간 | tF | 38 | ns | ||||
근원 하수구 다이오드 등급과 특성 | |||||||
최대 몸 다이오드 지속 현재 | IS | 5 | A | ||||
최대 몸 다이오드는 현재 맥박이 뛰었습니다 | 주의 | 20 | A | ||||
하수구 근원 다이오드 앞으로 전압 (주 1) | VSD | IS=5.0A, VGS=0V | 1.4 | V | |||
몸 다이오드 반전 회복 시간 (주 1) | trr |
IS=5.0A, VGS=0V, 디디뮴F/dt=100A/μs |
390 | nS | |||
몸 다이오드 반전 회복 책임 | Qrr | 1.6 | μC |
주: 1. 맥박 시험: 맥박 폭 ≤ 300µs의 의무 주기 ≤ 2%.
담당자: David