제품 상세 정보:
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VCBO: | -60V | VCEO: | -50V |
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VEBO: | -5V | 제품 이름: | 실리콘 반도체 삼극관 유형 |
티제이: | 150Š | 유형: | 삼극관 트랜지스터 |
하이 라이트: | 끝 시리즈 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 A733 트랜지스터 (PNP)를
전력 흩어지기
표를 하기
주문 정보
부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
A733 | TO-92 | 부피 | 1000pcs/Bag |
A733-TA | TO-92 | 테이프 | 2000pcs/Box |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | -60 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | -50 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | -5 | V |
I C | 지속 수집가 현재 - | -100 | mA |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 250 | MW |
TJ | 접합 온도 | 150 | ℃ |
Tstg | 접속점과 저장 온도 | -55~+150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC= -50UA, I.E =0 | -60 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC= -1MA, IB=0 | -50 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = -50UA, IC=0 | -5 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB= -60V, I.E =0 | -0.1 | uA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB= -5 V, IC=0 | -0.1 | uA | ||
DC 현재 이익 | hFE | VCE= -6V, IC= -1MA | 90 | 200 | 600 | |
수집가 이미터 포화 전압 | V (앉히는)세륨 | IC= -100mA, I B=- 10mA | -0.18 | -0.3 | V | |
기초 이미터 전압 | VBE | VCE=-6V, IC=-1.0mA | -0.58 | -0.62 | -0.68 | V |
전환 빈도 | fT | VCE=-6V, IC=-10mA | 100 | MHz | ||
수집가 산출 용량 | 옥수수 속 | VCB=-10V, I.E =0, f=1MHZ | 6 | pF | ||
소음 숫자 |
NF |
VCE=-6V, IC=-0.3mA, Rg=10kΩ, f=100HZ |
20 |
dB |
계급 | R | Q | P | K |
범위 | 90-180 | 135-270 | 200-400 | 300-600 |
포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
D1 | 3.430 | 0.135 | ||
E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
0 | 1.600 | 0.063 | ||
h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
담당자: David